收藏本站
型号 SI7123DN-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
SI7123DN-T1-GE3 PDF
代理商 SI7123DN-T1-GE3
产品目录绘图 DN-T1-E3 Series 1212-8
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 10.6 毫欧 @ 15A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 90nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3729pF @ 10V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7123DN-T1-GE3TR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8
SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8
SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8
SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC
SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC
SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC
SI7136DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC
SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC
SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC
SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC
SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC
SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC
SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC
SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC
SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC